规格书 |
MCH6604 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 50V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 250mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 7.8 Ohm @ 50mA, 4V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 1.57nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 6.6pF @ 10V |
功率 - 最大 | 800mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-SMD, No Lead |
供应商器件封装 | 6-MCPH |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 6MCPH |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 50 V |
最大连续漏极电流 | 0.25 A |
RDS -于 | 7800@4V mOhm |
最大门源电压 | ±10 V |
典型导通延迟时间 | 18 ns |
典型上升时间 | 42 ns |
典型关闭延迟时间 | 190 ns |
典型下降时间 | 105 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±10 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.88(Max) |
最大功率耗散 | 800 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 7800@4V |
最大漏源电压 | 50 |
每个芯片的元件数 | 2 |
包装宽度 | 1.6 |
供应商封装形式 | MCPH |
包装长度 | 2 |
PCB | 6 |
最大连续漏极电流 | 0.25 |
引脚数 | 6 |
铅形状 | Flat |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 250mA |
供应商设备封装 | 6-MCPH |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 7.8 Ohm @ 50mA, 4V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 800mW |
漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 6.6pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 1.57nC @ 10V |
封装/外壳 | 6-SMD, No Lead |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
配置 | Dual |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 10 V |
连续漏极电流 | 250 mA |
RDS(ON) | 7.8 Ohms |
功率耗散 | 800 mW |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | MCPH-6 |
栅极电荷Qg | 1.57 nC |
上升时间 | 42 nS |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 50 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 105 nS |
工厂包装数量 | 3000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
Qg - Gate Charge | 1.57 nC |
品牌 | ON Semiconductor |
通道数 | 2 Channel |
晶体管类型 | 2 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 250 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.8 Ohms |
系列 | MCH6604 |
Pd - Power Dissipation | 800 mW |
技术 | Si |
MCH6604-TL-E也可以通过以下分类找到
MCH6604-TL-E相关搜索